隔离型NLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，在P型硅衬底上形成有两个独立的N型深阱；左N型深阱左部形成有一P阱；P阱右部上方及左N型深阱右部上方，形成有栅氧化层；左N型深阱同右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及右N型深阱左部上方，形成有场氧；场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；层间介质覆盖在器件表面；漂移P型注入区近右N型深阱左侧处，接穿过层间介质、场氧及右N型深阱的漂移区金属；所述漂移区金属，同右N型深阱之间有氧化层隔离。本发明还公开了该种隔离型NLDMOS器件的制造方法。本发明，当隔离型NLDMOS器件漏端加交流信号由高电压降到低电压时，能实现输出电流无延时。

主权项

一种隔离型NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底上形成有左N型深阱、右N型深阱两个独立的N型深阱；所述左N型深阱，左部形成有一P阱；所述P阱，左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有栅氧化层；所述左N型深阱同所述右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有场氧；所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述场氧左部上方及所述栅氧化层上方，形成有栅极多晶硅；所述场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；层间介质覆盖在器件表面；所述P型重掺杂区同所述源端N型重掺杂区，同接穿过层间介质的源端金属；所述漏端N型重掺杂区，接穿过层间介质的漏端金属；所述漂移P型注入区近右N型深阱左侧处，接穿过层间介质、场氧及右N型深阱的漂移区金属；所述漂移区金属，同右N型深阱之间有氧化层隔离。