发明名称 |
等离子处理装置以及等离子处理方法 |
摘要 |
本发明涉及等离子处理装置以及等离子处理方法。提升等离子处理装置中的等离子处理性能和静电吸附性能两者。干式蚀刻装置(1)将保持在具备框架(6)和保持片(5)的搬运载体(4)的晶片(2)作为处理对象。机台(11)的电极部(13)具备静电卡盘(17)。在静电卡盘(17)的上表面近旁内置第1静电吸附电极(24)和第2静电吸附电极(25)。第1静电吸附电极(24)是单极型,隔着保持片(5)静电吸附晶片(2)。第2静电吸附电极(25)是双极型,隔着保持片(5)静电吸附框架(6),并静电吸附晶片(2)与框架(6)间的保持片(5)。 |
申请公布号 |
CN104616958A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201410594299.8 |
申请日期 |
2014.10.29 |
申请人 |
松下知识产权经营株式会社 |
发明人 |
置田尚吾 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
薛凯 |
主权项 |
一种等离子处理装置,对保持在具备框架和保持片的搬运载体的基板进行等离子处理,所述等离子处理装置具备:腔室,其有能减压的内部空间;工艺气体提供单元,其对所述内部空间提供工艺气体;减压单元,其对所述内部空间进行减压;等离子产生单元,其使所述内部空间产生等离子;机台,其设置在所述腔室内,具有载置所述搬运载体的电极部;单极型的第1静电吸附电极,其内置在所述电极部中的第1区域,该第1区域是隔着所述保持片载置所述基板的区域;双极型的第2静电吸附电极,其内置在所述电极部中的第2区域,该第2区域至少包含隔着所述保持片载置所述框架的区域、和所述基板与所述框架间的载置所述保持片的区域,所述双极型的第2静电吸附电极被施加直流电压。 |
地址 |
日本国大阪府 |