发明名称 场发射显示器
摘要 本发明公开了一种场发射显示器,包括:一底基板;多条阴极,设置于底基板上;一绝缘层,设置于阴极上且具有多个开口,其中该些开口对应阴极;多条阳极,设置于绝缘层上,并与该些阴极排列成一矩阵,其中该些阳极分别具有至少一撞击面;以及多个子画素单元,其分别包括:一发光区,具有一设置于该撞击面上的发光层;以及至少一发射块,对应该发光区且设置于该些开口中,并与该些阴极电性连接且凸出该些开口。据此,本发明可提高场发射显示器的光利用率。
申请公布号 CN102568987B 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201110032846.X 申请日期 2011.01.26
申请人 大同股份有限公司 发明人 杨宗翰;罗吉宗
分类号 H01J31/12(2006.01)I;H01J29/08(2006.01)I 主分类号 H01J31/12(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种场发射显示器,其特征在于包括:一底基板;多条阴极,设置于该底基板上;一绝缘层,设置于所述多条阴极上且具有多个阵列排列的开口,其中多个所述开口对应所述多条阴极;多条阳极,设置于该绝缘层上,并与所述多条阴极排列成一矩阵,其中该绝缘层隔绝所述多条阴极及所述多条阳极间的电性导通,且所述多条阳极分别具有至少一撞击面,且该至少一撞击面为一斜面或一曲面;以及多个阵列排列的子像素单元,其分别包括:一发光区,具有设置于该至少一撞击面上的发光层;以及至少一发射块,对应该发光区且设置于多个所述开口中,并与所述多条阴极电性连接且凸出多个所述开口;其中,所述多条阴极、该绝缘层、所述多条阳极、及多个所述子像素单元是设置于该底基板处,且该撞击面是面向该发射块的一表面。
地址 中国台湾台北市中山区中山北路3段22号