Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Halbleiterbauelement mit: einem Halbleitersubstrat (10), welches eine erste Halbleiterschicht (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf der ersten Halbleiterschicht (11) enthält, wobei die erste Halbleiterschicht (11) partiell einen hohlen Abschnitt (13) in einer ersten Oberfläche gegenüberliegend der zweiten Halbleiterschicht (12) besitzt, eine erste Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (12) gegenüberliegend der ersten Halbleiterschicht (11) erste und zweite Bereiche (A1) und (A2) besitzt, wobei der erste, durch einen dünnen Abschnitt (14) des Halbleitersubstrats (10) definierte Bereich (A1) durch den hohlen Abschnitt (13) bereitgestellt wird, wobei der zweite Bereich (A2) außerhalb des ersten Bereichs (A1) liegt; einem integrierten Schaltungsabschnitt (16) an dem zweiten Bereich (A2); einer Störstellendiffusionsschicht (27) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp, welche die zweite Halbleiterschicht (12) von einer Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (12) bis zu einer zweiten Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (11) durchdringt, welche die zweite Halbleiterschicht (12) berührt, eine Breite bezüglich der zweiten Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (12) besitzt und sich entlang der zweiten Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (12) für eine Unterteilung der zweiten Halbleiterschicht (12) in eine Mehrzahl von Blöcken für eine Trennung erstreckt; einem Draht (28) mit einem ersten Ende (28a) und zweiten Enden (28b) auf der zweiten Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (12), isoliert von der zweiten Halbleiterschicht (12) mit Ausnahme des ersten Endes (28a), welches mit der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (12) verbunden ist, wobei die zweiten Enden (28b) sich auf einen Rand des Halbleitersubstrats (10) erstrecken, der Draht (28) für ein elektrochemisches Ätzen der ersten Halbleiterschicht (11) zur Bildung des hohlen Abschnitts (13) und des dünnen Abschnitts (14) verwendbar ist, wobei der Draht (28) nicht die Störstellendiffusionsschicht (27) mit Ausnahme an den zweiten Enden (28b) kreuzt, wobei die Störstellendiffusionsschicht (27) einen C-förmigen Abschnitt (27a) bezüglich der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (12) besitzt, welcher den dünnen Abschnitt (14) umgibt, wobei sich der Draht (28) auf die Innenseite des C-förmigen Abschnitts (27a) durch eine Öffnung (27d) des C-förmigen Abschnitts (27a) erstreckt und das erste Ende (28a) mit der zweiten Halbleiterschicht (12) an der Innenseite des C-förmigen Abschnitts (27a) verbunden ist, ...