场效应晶体管、显示元件、图像显示设备和系统

摘要

所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。

主权项

一种场效应晶体管，包括：栅极，向其施加栅电压；源极和漏极，用于响应于所述栅电压获取电流；有源层，相邻于所述源极和所述漏极提供，所述有源层包括n型金属氧化物半导体；以及栅绝缘层，在所述栅极和所述有源层之间提供，其中，所述金属氧化物半导体包括具有晶体成分的n型替位掺杂氧化物，其中，所述n型掺杂化合物包括从包括三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的组中选出的至少一个掺杂物；其中，所述掺杂物的价大于所述金属氧化物半导体的金属离子的价。