| 发明名称 | 单芯片多电极调控多波长发光二极管结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种单芯片多电极调控多波长发光二极管结构，包括：一衬底；一缓冲/成核层，其制作在衬底上；多个交替生长的p型欧姆接触层和n型欧姆接触层，该多个交替生长的p型欧姆接触层和n型欧姆接触层制作在缓冲/成核层上，且每个p型欧姆接触层和n型欧姆接触层之间及n型欧姆接触层和p型欧姆接触层夹置有有源层，该有源层可以发射不同颜色的光，且每个p型欧姆接触层和n型欧姆接触层分别连接有p电极或n电极，形成正装结构。本发明具有工艺简单，驱动电路简单，无需荧光粉，寿命长，色域广，具有较高的光电转化效率，并且可采用柔性衬底，在白光照明、全色显示和光调控领域可以发挥重要作用。 | ||
| 申请公布号 | CN104617122A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201510006038.4 | 申请日期 | 2015.01.07 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵博;李晋闽;伊晓燕;郭金霞;马骏;刘志强 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种单芯片多电极调控多波长发光二极管结构，包括：一衬底；一缓冲/成核层，其制作在衬底上；多个交替生长的p型欧姆接触层和n型欧姆接触层，该多个交替生长的p型欧姆接触层和n型欧姆接触层制作在缓冲/成核层上，且每个p型欧姆接触层和n型欧姆接触层之间及n型欧姆接触层和p型欧姆接触层夹置有有源层，该有源层可以发射不同颜色的光，且每个p型欧姆接触层和n型欧姆接触层分别连接有p电极或n电极，形成正装结构。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||