| 发明名称 |
一种磁控溅射镀膜缓冲装置 |
| 摘要 |
为解决上述现有技术缺陷，本实用新型的目的在于提供一种磁控溅射镀膜缓冲装置，本装置设置有第一传动室和第二传动室，用第一传动室进行本室压力处理，第二传动室用于氮化硅移动至下一阶段。一种磁控溅射镀膜缓冲装置，包括，箱体，设置在箱体上的门子和门齿条撑，其特征在于，在所述箱体上设置有第一传动室和第二传动室，在第一传动室和第二传动室水平方向两侧分别设置有传动密封轴，在箱体两侧还设置有压力泵阀和放气阀，所述压力泵阀和放气阀分别设置于第一传动室和第二传动室之间。 |
| 申请公布号 |
CN204325485U |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
| 申请号 |
CN201420824985.5 |
申请日期 |
2014.12.22 |
| 申请人 |
深圳市拓日新能源科技股份有限公司;陕西拓日新能源科技有限公司 |
发明人 |
陈五奎;雷晓全;柯涛 |
| 分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种磁控溅射镀膜缓冲装置，包括，箱体(1)，设置在箱体(1)上的门子(3)和门齿条撑(2)，其特征在于，在所述箱体(1)上设置有第一传动室(6‑1)和第二传动室(6‑2)，在第一传动室(6‑1)和第二传动室(6‑2)水平方向两侧分别设置有传动密封轴(7)，在箱体两侧还设置有压力泵阀(4)和放气阀(5)，所述压力泵阀(4)和放气阀(5)分别设置于第一传动室(6‑1)和第二传动室(6‑2)之间。 |
| 地址 |
710000 陕西省渭南市开发区新盛路阳光大厦五楼 |
