发明名称 MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法
摘要 本发明公开了一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法,所述装置包括行选择器,第一列选择器,第二列选择器和监测管。所述监测MOS管阵列阈值电压的方法利用上述装置,通过对待测MOS管阵列中的MOS管和监测管的电路连接,使得原本难以监测的MOS管阵列阈值电压的分布及漂移能够方便读出,大大缩短测量时间。
申请公布号 CN103064000B 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201310002748.0 申请日期 2013.01.05
申请人 北京大学 发明人 何燕冬;王熙庆;张钢刚;张兴
分类号 G01R31/27(2006.01)I 主分类号 G01R31/27(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 王莹
主权项 一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置,其特征在于,包括行选择器,第一列选择器,第二列选择器和监测管;所述行选择器包括行电平端口,多对相对应的行选端口和行通端口;所述第一列选择器和第二列选择器均包括列电平端口,多对相对应的列选端口和列通端口;待测MOS管阵列中各行的所有MOS管的栅极相连,并连接于所述行选择器的各行通端口;所述待测MOS管阵列中各列的所有MOS管的源极相连,并连接于所述第一列选择器的各列通端口;所述待测MOS管阵列中各列的所有MOS管的漏极相连,并连接于所述第二列选择器的各列通端口;所述第二列选择器的列电平端口与监测管的源极相连;所述监测管的漏极与其栅极相连;其中,当待测MOS管阵列为PMOS管阵列时,所述行选择器由多个强制高电平传输门组成,所述第一列选择器和第二列选择器均由多个强制低电平传输门组成;当待测MOS管阵列为NMOS管阵列时,所述行选择器由多个强制低电平传输门组成,所述第一列选择器和第二列选择器均由多个强制高电平传输门组成;其中,所述强制高电平传输门包括一个CMOS传输门和附加PMOS管,所述附加PMOS管的源极连接高电平,栅极连接CMOS传输门的控制端,漏极连接CMOS传输门的输出端;所述强制低电平传输门包括一个CMOS传输门和附加NMOS管,所述附加NMOS管的源极接低电平,栅极接CMOS传输门的控制端的反相端,漏极接CMOS传输门的输出端;其中,所述监测装置还包括行译码器和列译码器,所述行译码器各输出端口与所述行选择器的各行选端口相连,所述列译码器各输出端口分别与所述第一列选择器和第二列选择器的各列选端口相连;其中,所述监测装置还包括串并转换单元;其中,所述监测装置的监测管与待测MOS管阵列中的MOS管类型相同,且具有相同的宽长比。
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