| 摘要 |
<p>Halbleiterelement-Ansteuerungsschaltung (2) zum Ansteuern eines Halbleiterelements (Q1) mit einer Steuerelektrode, einer Elektrode einer Seite und einer Elektrode der anderen Seite, wobei die Halbleiterelement-Ansteuerungsschaltung unter Verwendung einer ersten Versorgungsspannung (VCC) und einer zweiten Versorgungsspannung (GND) arbeitet, wobei die Halbleiterelement-Ansteuerungsschaltung folgendes aufweist: einen Ansteuerungsabschnitt (20) zum Ausführen der Einschalt- oder Ausschaltoperation des Halbleiterelements durch Ausgeben eines Ansteuerungssignals (VOUT1) bei einem Einschalt- oder Ausschaltniveau an die Steuerelektrode des Halbleiterelements, wobei der Ansteuerungsabschnitt eine erste interne Versorgungsspannung (VC2) als eine Spannung zum Bestimmen des Einschaltniveaus und eine zweite interne Versorgungsspannung (GD2) als eine Spannung zum Bestimmen des Ausschaltniveaus verwendet; und einen Bezugsleistungszufuhrabschnitt (15) zum Ausgeben eines Bezugssignals (VOUT2) an die Elektrode der einen Seite des Halbleiterelements, wobei das Bezugssignal durch eine Bezugsspannung (VREF2) als ein mittleres Potential zwischen der ersten Versorgungsspannung und der zweiten Versorgungsspannung bestimmt wird, wobei eine Spannung, die bei einem Niveau festgeklemmt ist, welches gegenüber der Bezugsspannung um ein erstes Niveau verschieden gemacht ist, um näher an der ersten Versorgungsspannung zu sein, als die erste interne Versorgungsspannung spezifiziert ist, und eine Spannung, die bei einem Niveau festgeklemmt ist, welches gegenüber dem Bezugssignal um ein zweites Niveau verschieden gemacht ist, um näher an der zweiten Versorgungsspannung zu sein, als die zweite interne Versorgungsspannung spezifiziert ist.</p> |
