| 摘要 |
<p>本発明は、基板（２１）上に形成したゲート電極（２２）と、このゲート電極（２２）を覆うように形成したゲート絶縁膜（２３）と、このゲート絶縁膜（２３）上に形成した酸化物半導体層（２４）と、この酸化物半導体層（２４）のチャネル形成部分に形成したエッチングストッパー膜（２５）と、酸化物半導体層（２４）とエッチングストッパー膜（２５）の端部を覆うように形成したソース電極（２６ｓ）及びドレイン電極（２６ｄ）を有する。また、エッチングストッパー膜（２５）は、４５０ｎｍ以下の波長の光を減衰させることが可能な絶縁膜材料により構成している。</p> |
