| 主权项 |
一种非挥发式记忆体装置，包含：一单次可编程记忆体单元阵列，包含复数个记忆体单元，每一该些记忆体单元系设置于一位元线与一字元线之一交点；其中每一该记忆体单元，包含：一第一闸极，形成于一底材(Substrate)之表面上，其中该底材系属于一第一电导型态；一第二闸极，形成于该底材之表面上；一第一扩散区域(Diffusion Region)，该第一扩散区域系属于一第二电导型态(Conductivity Type)并形成于该第一闸极之一端，且该第二电导型态系相异于该第一电导型态；一第二扩散区域，该第二扩散区域系属于该第二电导型态并形成于该第二闸极之另一端；及一中央扩散区域，该中央扩散区域系属于该第二电导型态并形成于该第一闸极与该第二闸极之间；一升压泵电路，包含复数个本地端升压电路，每一该些本地端升压电路系共享于该些记忆体单元中一对应之记忆体单元；以及一编程确认电路，耦接于该单次可编程记忆体单元阵列，用来在编程结束后验证该些记忆体单元中已编程之记忆体单元的导通电流是否高于一预定电流强度；
其中该第二扩散区域系混合于该中央扩散区域内位于该第二闸极之下的部份，该第一扩散区域系分离于该中央扩散区域，且每一该些本地端升压电路系用来阻绝一对应之已编程记忆体单元的漏电流，并用来防止对应之该升压泵电路上的电流过载所引起的编程电压错误。
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