发明名称 蚀刻设备之反应槽装置
摘要
申请公布号 TWI484551 申请公布日期 2015.05.11
申请号 TW099124000 申请日期 2010.07.21
申请人 周业投资股份有限公司 发明人 张国钦;周峙丞
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种蚀刻设备之反应槽装置,包含:一开口朝上之反应室,包括一底壁,及一自底壁往上突伸之环状的围壁;一下电极,安装于反应室之底壁顶面;及一上电极,盖封反应室开口地往下叠置于该围壁顶面,包括一具有一粗糙化底面的基板层、一由陶瓷粉末以电浆熔射方式熔射固结于该基板层之粗糙化底面的陶瓷熔射层,及一被覆固定于该陶瓷熔射层之保护层,且该保护层材料是选自于由矽化合物、铬化合物以及矽化合物与铬化合物之混合所构成之群体,且是涂布于该陶瓷熔射层后,再经烧结固化制成,其烧结温度低于基板层与陶瓷熔射层熔点。
地址 台南市仁德区文贤路1段554巷8弄8号