| 发明名称 | 具有金属闸极电晶体与电阻结构之半导体元件及其制作方法之方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI484592 | 申请公布日期 | 2015.05.11 |
| 申请号 | TW098120409 | 申请日期 | 2009.06.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 曾志裕;林建廷;曾坤赐;范政文;梁其翔 |
| 分类号 | H01L21/762;H01L27/02 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 代理人 | 戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种制作金属闸极电晶体与电阻之方法，包含：提供一基底，该基底上定义有一电晶体区以及一电阻区；形成一浅沟隔离于该基底中之该电阻区；形成一凹槽于该电阻区之该浅沟隔离中；形成一多晶矽层并覆盖该电阻区及该电晶体区之表面；蚀刻该多晶矽层，以形成至少一多晶矽闸极于该电晶体区以及一电阻于该电阻区之该凹槽中；以及完全移除该多晶矽闸极，并将该多晶矽闸极转换成一金属闸极电晶体。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||