| 主权项 |
一种在一半导体结构之一层(2)中密封一气隙(6)的方法，该方法包括：提供该半导体结构之一第一层(2)，该第一层具有至少一个气隙(6)，用于在形成于该第一层中之至少两个导线(4)之间提供隔离，该至少一个气隙从该第一层之一第一表面(8)延伸至该第一层中；在该第一层(2)之该第一表面(8)上形成一非保形第一介电层(14)，使得该第一介电层(14)之部分塞住该气隙(6)以封闭该至少一个气隙(6)；在该第一介电层(14)上形成一由阻障电介质材料制成的阻障层(10、16)，该阻障电介质材料经选定以具有一小于3.5的介电常数，及提供一阻障以防止化学物质进入该至少一个气隙(6)。
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