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经营范围
发明名称
半導体装置
摘要
導電パターン付絶縁基板1上に半導体チップ9〜12を配置し、半導体チップ9〜12を挟んで導電パターン付絶縁基板1の上方に金属ピン付プリント基板13を配置し、導電パターン付絶縁基板1に複数の外部導出端子21,22、23を固着し、複数の外部導出端子21,22を隣接平行配置する。また、金属ピン付プリント基板13のおもて面と裏面に互いに対向して形成された金属箔15,16を半導体チップ9〜12の上方に配置する。
申请公布号
JPWO2013118415(A1)
申请公布日期
2015.05.11
申请号
JP20130557387
申请日期
2012.12.25
申请人
富士電機株式会社
发明人
堀尾 真史;福田 恭平;堀 元人;池田 良成
分类号
H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48
主分类号
H01L25/07
代理机构
代理人
主权项
地址
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