| 发明名称 | 半导体结构之制法与导电凸块 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI484610 | 申请公布日期 | 2015.05.11 |
| 申请号 | TW101124582 | 申请日期 | 2012.07.09 |
| 申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 詹前峰;詹慕萱;林畯棠;赖顗喆 |
| 分类号 | H01L23/488;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/488 |
| 代理机构 | 代理人 | 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 | |
| 主权项 | 一种导电凸块，系用于形成于具有焊垫之半导体基板上，该导电凸块包括：第一金属层，系形成于该焊垫上；第二金属层，系形成于该第一金属层上，其中，该第二金属层系无铅材质之焊锡；以及第三金属层，系形成于该第二金属层上，且该第二金属层之熔点高于该第三金属层之熔点，其中，该第三金属层系焊锡。 | ||
| 地址 | 台中市潭子区大丰路3段123号 | ||