发明名称 半導体発光素子、その製造方法及び光源装置
摘要 半導体発光素子(101)は、非極性面又は半極性面を主面とし、偏光光を発光する活性層(22)を含む窒化物系半導体からなる半導体積層構造(20)を備えている。半導体発光素子(101)は、偏光光の出射経路を横切る位置に設けられ、複数の凹部を含むストライプ構造(50)を有し、凹部(50b)における延伸方向と偏光光における偏光方向とがなす角度は、0?以上且つ45?以下である。複数の凹部(50b)は、該複数の凹部(50b)の表面の少なくとも一部に凹部50bの深さよりも浅い微細な凹凸構造(テクスチャ)(51)を有している。
申请公布号 JPWO2013114480(A1) 申请公布日期 2015.05.11
申请号 JP20130556042 申请日期 2012.09.20
申请人 パナソニック株式会社 发明人 藤田 稔之;井上 彰;横川 俊哉
分类号 H01L33/22;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/50 主分类号 H01L33/22
代理机构 代理人
主权项
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