发明名称 | 微流道结构的制造方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI484548 | 申请公布日期 | 2015.05.11 |
申请号 | TW101150756 | 申请日期 | 2012.12.28 |
申请人 | 财团法人金属工业研究发展中心 | 发明人 | 林昭宪 |
分类号 | H01L21/306;H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/306 |
代理机构 | 代理人 | 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 | |
主权项 | 一种微流道结构的制造方法,系包含:提供基板,所述基板上具有一加工表面;于基板上之加工表面形成微米尺度之沟槽;于基板具有沟槽的加工表面上镀覆包含有二种不同蚀刻难易特性的膜层交互堆叠而成的复合多层镀膜,所述复合多层镀膜填入沟槽;磨除复合多层镀膜邻近于沟槽开口处之部分,于基板沟槽开口处显露多层镀膜条纹,该多层镀膜条纹沿沟槽路径延伸;以选择性蚀刻手段去除位于沟槽开口处之复合多层镀膜中具有易蚀刻特性的膜层至预定深度,形成微奈米尺度的微流道结构;以及于基板加工表面上贴覆一盖板,形成一具有微流道的构件。 | ||
地址 | 高雄市楠梓区高楠公路1001号 |