| 发明名称 |
用以制造基材的方法 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI484622 |
申请公布日期 |
2015.05.11 |
| 申请号 |
TW098130205 |
申请日期 |
2009.09.08 |
| 申请人 |
Ｓ Ｏ Ｉ ＴＥＣ矽绝缘体科技公司 |
发明人 |
欧利伯特 费得瑞克;高定 圭列兹;拉列蒙特 法布雷斯;兰德路 迪迪尔;朗德里 卡伦尼;夏汗 穆罕默德;马路瑞 卡洛斯 |
| 分类号 |
H01L27/105;H01L21/31;H01L21/8239 |
主分类号 |
H01L27/105 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种用以制造基材的方法，该基材依序包含有一基础晶圆、一绝缘层以及一顶端半导体层，该方法特征在于包含以下步骤：在该基础晶圆或一施体晶圆上形成该绝缘层；在该绝缘层的至少一区域赋予电荷，以使得该区域显示出绝对值高于1010个电荷/cm2之电荷密度；将该基础晶圆与该施体晶圆接合，而该绝缘层系位在介面处，其中赋予电荷之步骤系在接合步骤前执行。 |
| 地址 |
法国 |
