发明名称 光诱发控制之细胞胞解晶片
摘要
申请公布号 TWI484179 申请公布日期 2015.05.11
申请号 TW098111068 申请日期 2009.04.02
申请人 国立成功大学 发明人 李国宾;林彦亨
分类号 G01N33/48;B01J19/12 主分类号 G01N33/48
代理机构 代理人 郭雨岚 台北市大安区仁爱路3段136号13楼;林发立 台北市大安区仁爱路3段136号13楼
主权项 一种光诱发控制之细胞胞解之系统,其系包含:一光诱发控制之细胞胞解晶片,其结构包含:一上基板,其材料为透明导电材料;一下基板,其材料为透明导电材料;一光导材料层,其系形成于前述上基板之下表面或下基板之上表面,其中该光导材料层系包含一非晶矽材料或一高分子材料,其中该非晶矽材料系为硫化镉(CdS)或硒-砷(Se-As)化合物,该高分子材料系为聚3已基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT)或[6,6]苯基C61丁酸甲脂([6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester,PCBM);及一腔室,其系设置于前述上基板与下基板之间;一电源,用以提供前述晶片之上基板与下基板电位差;一光源,投射光束至前述光导材料层;一影像撷取单元,用以撷取前述晶片之腔室中的影像;及一控制单元,用以显示前述影像撷取单元获得之影像及控制前述光源产生光照射于光导材料层之位置及/或区域大小;其中该光源之光照强度系29-155nW/μm2,且该光源所投射光束之光照直径系为22.5-78.8μm。
地址 台南市东区大学路1号