半導体装置

摘要

電流重視のＩＧＢＴにおいて、コレクタ用導電層（ＰＲ１）は、コレクタ領域（ＣＲ）に含まれる１つのコレクタ用活性領域（ＣＲａ）に対して複数のコンタクトで接続されている。１つのコレクタ用活性領域（ＣＲａ）に対するコレクタ用導電層（ＰＲ１）のコンタクトの個数は、ベース領域（ＢＲ、ＢＣＲ）に含まれる１つのベース用活性領域（ＢＣＲ）に対するエミッタ用導電層（ＰＲ２）のコンタクトの個数よりも多い。