摘要 |
<p>半導体装置(100A)は、基板(2)と、基板(2)の上に形成されたゲート電極(3)と、ゲート電極(3)の上に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲート絶縁層(4)の上に形成された酸化物半導体層(5)と、酸化物半導体層(5)に電気的に接続されたソース電極(6s)およびドレイン電極(6d)と、ドレイン電極(6d)と電気的に接続された第1透明電極(7)と、ソース電極(6s)およびドレイン電極(6d)の上に形成された誘電体層8aを含む層間絶縁層(8)と、層間絶縁層(8)の上に形成された第2透明電極(9)とを有し、第2透明電極(9)の少なくとも一部は、誘電体層(8a)を介して第1透明電極(7)と重なっており、酸化物半導体層(5)および第1透明電極(7)は、同一の酸化物膜から形成されている。</p> |