| 摘要 |
<p>半導体装置（１００）は、基板（１）、ゲート電極（１１）、ゲート絶縁膜（１２）、酸化物半導体層（１３）、ソース電極（１４）、ドレイン電極（１５）および保護膜（１６）を備える。酸化物半導体層の上面および側面は、ソース電極、ドレイン電極および保護膜によって覆われており、基板面法線方向から見たとき、第１コンタクト領域（１３ｓ）の外縁からソース電極の外縁までの最短距離および第２コンタクト領域（１３ｄ）の外縁からドレイン電極の外縁までの最短距離は、それぞれ１．５μｍ以上４．５μｍ以下である。</p> |
