| 摘要 |
<p>２つの薄膜トランジスタ部（１００ａ及び１００ｂ）を有する薄膜半導体装置（１００）であって、薄膜トランジスタ部（１００ａ）は、第１のゲート電極（１１１ａ）と、第１のゲート絶縁膜（１１２）と、第１の半導体膜（１１３ａ）と、真性半導体層（１１４ａ）と、真性半導体層（１１４ａ）の上方の一部に接して形成されたｎ型の第１のコンタクト層（１１６ａ及び１１６ｂ）と、第１のソース電極（１２０ａ）と、第１のドレイン電極（１２０ｂ）とを備え、薄膜トランジスタ部（１００ｂ）は、第２のゲート電極（１１１ｂ）と、第２のゲート絶縁膜（１１２）と、第２の半導体膜（１１３ｂ）と、真性半導体層（１１４ｂ）と、半導体膜（１１３ｂ）及び真性半導体層（１１４ｂ）の側面の一部に接して形成されたｐ型の第２のコンタクト層（１１７ｂ及び１１７ｃ）と、第２のソース電極（１２０ｃ）と、第２のドレイン電極（１２０ｄ）とを備える。</p> |
