发明名称 不揮発性記憶素子及びその製造方法
摘要 <p>第1電極(105)と、第2電極(108)と、第1電極(105)と第2電極(108)との間に介在し、第1電極(105)と第2電極(108)との間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗状態が変化する抵抗変化層(106)と、を備え、抵抗変化層(106)は、第1金属酸化物で構成される第1抵抗変化層(106a)と、第1金属酸化物より酸素不足度が小さく、抵抗値が大きい第2金属酸化物で構成される第2抵抗変化層(106b)と、を有し、第2抵抗変化層(106b)中に、第2金属酸化物を構成する金属原子同士の金属結合を有する金属−金属結合領域(107)を備える。</p>
申请公布号 JPWO2013111548(A1) 申请公布日期 2015.05.11
申请号 JP20130536739 申请日期 2013.01.18
申请人 发明人
分类号 H01L27/105;C23C14/08;H01L45/00;H01L49/00 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
地址