抵抗変化型不揮発性記憶素子とその製造方法

摘要

第１電極層（１０１）と、第２電極層（１０４）と、第１電極層（１０１）と第２電極層（１０４）との間に介在する第１の抵抗変化層（１０２）と、第２電極層（１０４）と、第１の抵抗変化層（１０２）との間に介在し、第１の抵抗変化層（１０２）よりも抵抗値の大きい第２の抵抗変化層（１０３）とを備え、第２の抵抗変化層（１０３）の主面に垂直な方向から見た場合に、第２の抵抗変化層（１０３）の輪郭（１０３ａ）は、第２電極層（１０４）及び第１の抵抗変化層（１０２）のいずれの輪郭よりも内側に位置しており、第２の抵抗変化層（１０３）の第１の抵抗変化層（１０２）と接する面の輪郭は、第１の抵抗変化層（１０２）の第２の抵抗変化層（１０３）と接する面の輪郭よりも内側に位置している。