多层密度梯度平滑方法、半导体装置以及半导体记忆装置

主权项

一种多层密度梯度平滑方法，用于半导体装置，包括：配置复数的单胞于一阵列，个别的单胞具有一特征密度；配置复数的第一密度梯度胞于第一边缘次阵列，该第一边缘次阵列邻接在该阵列的至少一部分边缘，个别的第一密度梯度胞具有一特征密度，低于该单胞的该特征密度；以及配置复数的第二密度梯度胞于第二边缘次阵列，该第二边缘次阵列邻接在该第一边缘次阵列的至少一部分边缘，个别的第二密度梯度胞具有一特征密度，低于该第一密度梯度胞的该特征密度。