发明名称 画素结构及画素结构的制作方法
摘要
申请公布号 TWI484271 申请公布日期 2015.05.11
申请号 TW101128839 申请日期 2012.08.09
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 黄国有;张玮伦;陈茂松
分类号 G02F1/136;G02F1/1333 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种画素结构的制作方法,包括:于一基板上形成一薄膜电晶体,该薄膜电晶体的制造方法包括:于该基板上形成一闸极;于该基板上形成一闸介电层;于该基板上形成一通道层,其中该闸介电层位于该闸极与该通道层之间;以及于该基板上形成一第一电极以及一第二电极,其中该第一电极与该第二电极位于该通道层两侧,且该第一电极与该第二电极电性连接该通道层;于该基板上形成一第一绝缘层,覆盖该第一电极;于该基板上形成一平坦层,覆盖该第一绝缘层且具有一第一开口,该第一开口暴露位于该第一电极上方的该第一绝缘层;于该平坦层上形成一第一导电层,该第一导电层填入该第一开口中;于该第一导电层上形成一图案化光阻层,该图案化光阻层具有一蚀刻开口,该蚀刻开口暴露出位于该第一电极上方的该第一导电层;对该第一导电层进行一湿式蚀刻制程,该湿式蚀刻制程以该图案化光阻层为罩幕,经由该蚀刻开口移除位于该第一电极上方的该第一导电层,并且侧向蚀刻位于该图案化光阻层下的部分该第一导电层,以形成一图案化第一导电层,其中该图案化第一导电层具有一第二开口,该第二 开口位于该第一开口内,且暴露出位于该第一电极上方的该第一绝缘层;对该第一绝缘层进行一乾式蚀刻制程,该乾式蚀刻制程以该图案化光阻层为罩幕,经由该蚀刻开口移除位于该第一电极上方的该第一绝缘层,以形成一图案化第一绝缘层,其中该图案化第一绝缘层具有一暴露出该第一电极的第三开口,该第三开口小于该第二开口,且该第三开口自行对准于该第二开口内;移除该图案化光阻层;于该图案化第一导电层上形成一图案化第二绝缘层,该图案化第二绝缘层覆盖该图案化第一导电层以及该第二开口内暴露出的部分该第一绝缘层,该图案化第二绝缘层具有一第四开口,该第四开口位于该第三开口内,且暴露出部分该第一电极;以及于该图案化第二绝缘层上形成一图案化第二导电层,该图案化第二导电层经由该第四开口与该第一电极电性连接。
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