发明名称 具雷射切除凹槽之指叉背接触矽晶太阳电池及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI484645 申请公布日期 2015.05.11
申请号 TW098130033 申请日期 2009.09.07
申请人 帕洛阿尔托研究中心公司 发明人 中屋敷健太;徐包铭
分类号 H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;王彦评 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种指叉背接触(IBC)太阳电池,包含:一基板,具有一平坦的背面及一相对的前面;复数指叉扩散区,形成于该基板之该平坦的背面中,该等复数指叉扩散区包含,具有第一掺杂浓度且自该平坦的背面以一第一深度延伸于该基板中之第一扩散区与第二扩散区,以及具有第二掺杂浓度且自该平坦的背面以一第二深度延伸于该基板中之第三扩散区,该第三扩散区系配置于该第一与第二扩散区之间;以及复数凹槽,界定于自该平坦的背面延伸至该基板中的一对应侧壁之间,该复数凹槽之每一者系设置于一对相邻结合的该指叉扩散区之间,使得该第一扩散区藉由一第一凹槽与该第三扩散区分开,以及该第二扩散区藉由一第二凹槽与该第三扩散区分开,其中该等复数指叉扩散区之每一者系连续地在一对相邻结合的该凹槽之间延伸,使得该第三扩散区自该第一凹槽的一第一侧壁延伸至该第二凹槽之一第二侧壁,及其中该等复数凹槽之每一者自该平坦的背面具有一深入该基板中之第三深度,其中该第三深度系大于该第一及第二深度。
地址 美国