| 摘要 |
本発明は、ＳＥＭ画像から半導体パターンの２次元形状及びパターン側壁の形状変化を評価して露光条件を推定する画像評価方法、及び画像評価装置の提供を目的とする。上記目的を達成するために、ＳＥＭ像から複数の輪郭線を生成して得た特徴量と露光条件との関係を示すモデルと、前記モデルに対応する輪郭線生成パラメータ情報とを格納する記憶部と、前記輪郭線生成パラメータ情報を用いてＳＥＭ画像から複数の輪郭線を生成する輪郭線生成部と前記輪郭線生成部で生成した複数の輪郭線から求めた特徴量と、前記モデルを用いて、露光条件を求める推定部を備えた方法、及び装置を提案する。 |
