| 发明名称 |
制造辐射发射半导体晶片之方法、辐射发射半导体晶片以及辐射发射组件 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI484658 |
申请公布日期 |
2015.05.11 |
| 申请号 |
TW100144139 |
申请日期 |
2011.12.01 |
| 申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 |
发明人 |
彼得森 柯斯丁;鲍曼 法兰克;艾瑟特 多明尼克;库伊 海菱 |
| 分类号 |
H01L33/02;H01L33/32;H01L33/50 |
主分类号 |
H01L33/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种制造辐射发射半导体晶片之方法，包括以下步骤：- 制备半导体本体(1)，其用来由辐射发出面(2)发出第一波长范围之电磁辐射；- 施加一种具有第一波长转换材料(9)之第一波长转换层(8)于该半导体本体(1)之该辐射发出面(2)上，该第一波长转换材料(9)藉由电泳来将该第一波长范围之辐射转换成第二波长范围之辐射，其中第一波长转换层(8)的粒子密度系大于或等于50%；- 施加一种具有第二波长转换材料(6)之第二波长转换层(4)于该半导体本体(1)之该辐射发出面(2)上，该第二波长转换材料(6)将该第一波长范围之辐射转换成第三波长范围之辐射，其中该第二波长转换层(4)系以浇铸成型或以一陶瓷模具来制造；- 其中该第一波长转换层(8)完全覆盖该第二波长转换层(4)之主面(10)、该第二波长转换层(4)之侧面(11)和该半导体本体(1)之侧面(12)。
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| 地址 |
德国 |
