| 主权项 |
一种发光二极体用磊晶晶圆，其特征为：具备GaAs基板、和设置于前述GaAs基板上之pn接合型的发光部，前述发光部系变形发光层与阻障层交互积层而成的积层构造，前述变形发光层的组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≦X≦0.1、0.35≦Y≦0.46)，前述阻障层的组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(0.3≦X≦0.7、0.51≦Y≦0.54)，于前述发光部上设有相对于发光波长呈透明，且具有比前述GaAs基板的晶格常数还小的晶格常数之变形调整层，且前述变形调整层的组成式为AlXGa1-XAs1-YPY(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)。 |
