发明名称 半導体装置
摘要 導電パターン付絶縁基板1の導電パターン3および裏面放熱板4のそれぞれの側面5,6に凹状の溝7を設け、この凹状の溝7にモールド樹脂15が充填するようにする。凹状の溝7を設けることでモールド樹脂15の接着面積が増大する。また、モールド樹脂15が凹状の溝7に充填されることでアンカー(投錨)効果が発生し、導電パターン付絶縁基板1とモールド樹脂15との密着性を向上させることができる。その結果、半導体装置100の信頼性を向上させることができる。また、凹状の溝7が導電パターン3および裏面放熱板4のそれぞれの側面5,6に形成されているので、半導体装置100の外形が大きくなることはない。
申请公布号 JPWO2013118478(A1) 申请公布日期 2015.05.11
申请号 JP20130557417 申请日期 2013.02.01
申请人 富士電機株式会社 发明人 梨子田 典弘;仲村 秀世
分类号 H01L23/28;H01L21/60;H01L23/29 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人
主权项
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