半导体装置的制造方法

主权项

一种半导体装置的制造方法，系于半导体基板上具有金属配线的半导体装置的制造方法，其特征系包含：在上述半导体基板上形成层间绝缘膜之工程；形成供以在上述层间绝缘膜及上述半导体基板形成虚拟金属配线之开口部的直径为金属膜厚与阻剂膜厚的合算膜厚的2倍以上，长宽比为1~3的沟之工程；在上述层间绝缘膜的表面及上述沟的内面堆积成为上述金属配线或上述虚拟金属配线的金属膜之工程；在堆积上述金属膜的上述沟上形成具有表面凹陷的轮廓之阻剂的图案之工程；及蚀刻上述金属膜来使上述层间绝缘膜上的金属配线及上述沟内面及周围的虚拟金属配线接近形成之工程。