发明名称 n型拡散層形成組成物、n型拡散層形成組成物セット、n型拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法
摘要 本発明は、ドナー元素を含む化合物と、前記ドナー元素を含む化合物とは異なる化合物であり、アルカリ土類金属及びアルカリ金属からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含有する金属化合物と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物を提供する。また前記n型拡散層形成組成物を、半導体基板上に付与して組成物層を形成し、前記組成物層が形成された半導体基板に熱処理を施してn型拡散層付き半導体基板の製造方法を提供する。
申请公布号 JPWO2013105602(A1) 申请公布日期 2015.05.11
申请号 JP20130553307 申请日期 2013.01.10
申请人 日立化成株式会社 发明人 織田 明博;吉田 誠人;野尻 剛;倉田 靖;町井 洋一;岩室 光則;清水 麻理;佐藤 鉄也;芦沢 寅之助
分类号 H01L21/225;H01L31/068;H01L31/18 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
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