炭化珪素半導体装置およびその製造方法

摘要

終端領域の耐圧低下を抑えつつ、製造時におけるマスク数の削減およびアライメントマークの検出精度向上を図ることが可能な炭化珪素半導体装置を提供する。半導体装置は、ＳｉＣエピタキシャル層２に形成された半導体素子（ショットキーバリアダイオード）と、ＳｉＣエピタキシャル層２の表面部における半導体素子の外周に形成された不純物領域である終端領域８（ガードリング）と、終端領域８の上面に形成されたリセス１０とを備える。リセス１０は、極浅く形成され、その深さは５０ｎｍ以下である。