| 主权项 |
一种双重矽晶穿孔结构，其包含：一第一晶粒(die)单元，系输出一输入讯号；一第一讯号路径，系包含有一第一驱动单元及一第一矽晶穿孔单元，该第一驱动单元系包含第一端、第二端及第三端，该第一驱动单元之第一端系电性连接该第一晶粒单元之输出端，且该第一驱动单元之第二端系电性连接该第一矽晶穿孔单元之输入端；一第二讯号路径，系包含有一第二驱动单元及一第二矽晶穿孔单元，该第二驱动单元系包含第一端、第二端及第三端，该第二驱动单元之第一端系电性连接该第一晶粒单元之输出端，且该第二驱动单元之第二端系电性连接该第二矽晶穿孔单元之输入端；一接收单元，其输入端系电性连接该第一矽晶穿孔单元及该第二矽晶穿孔单元之输出端；一第二晶粒单元，其输入端系电性连接该接收单元之输出端，以及一反向单元，该反向单元之输入端系电性连接该第一晶粒单元之输出端，该反向单元之输出端则电性连接该第一讯号路径及该第二讯号路径，且该反向单元系接收该输入讯号后输出一控制讯号至该第一讯号路径及该第二讯号路径；其中：该第一驱动单元系接收该输入讯号，以输出与该输入讯号反向之一第一讯号至该第一矽晶穿孔单元，并驱动该第一矽晶穿孔单元传输该第一讯号；该第二驱动单元系接收该输入讯号，以输出与该输入讯号反向之一第二讯号至该第二矽晶穿孔单元，并驱动该第二矽晶穿孔单元传输该第二讯号；该接收单元系接收该第一讯号及该第二讯号，以输出一结合讯号至该第二晶粒单元；且该接收单元系具有一或(OR)闸或一反或(NOR)闸，以重组该第一讯号及该第二讯号为该结合讯号。 |
