具有高效率波长转换之发光装置及其形成方法

主权项

一种发光装置，其包括：一第一半导体材料；一第二半导体材料，其与该第一半导体材料间隔开；一作用区域，其介于该第一半导体材料与该第二半导体材料之间，该作用区域经组态以经由电致发光产生一光；及一转换材料，其在该第二半导体材料上，该转换材料含有具有一直接带隙能量及等于或低于该直接带隙能量之一间接带隙能量之磷化铝镓铟(AlInGaP)，其中该转换材料掺杂有一N型掺杂剂。