发明名称 多埠记忆体元件及方法
摘要
申请公布号 TWI484498 申请公布日期 2015.05.11
申请号 TW099110640 申请日期 2010.04.06
申请人 美光科技公司 发明人 沃克 罗伯;史金纳 丹
分类号 G11C7/10;G06F12/02 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种库至埠映射电路,其包括:一组态暂存器,其经组态以储存指示映射至一埠之复数个库端子中之每一者之方式的组态资料;引导逻辑,其耦合至该组态暂存器、该埠及该等库端子之每一者,该引导逻辑经组态以回应自该组态暂存器接收之任何组态资料而选择性地将该等库端子耦合至该埠;一本机库,其耦合至该引导逻辑,且经组态以储存资料及执行记忆体命令;一命令解码器,其经由一本机命令汇流排耦合至该引导逻辑,其中该命令解码器经组态以解码用于该本机库之命令;及一位址解码器,其经由一本机位址汇流排耦合至该引导逻辑,其中该位址解码器经组态以解码用于该本机库之位址。
地址 美国