形成电熔丝元件与金属闸极电晶体之方法及其电熔丝元件

主权项

一种形成电熔丝元件与金属闸极电晶体之方法，包括：提供一基底，于该基底上定义至少一电熔丝区域与至少一主动区域；于该主动区域与该电熔丝区域中皆形成一闸极介电层、一第一功函数金属层与一多晶矽层的虚置闸极堆叠(dummy gate stack)；于该主动区域之该虚置闸极堆叠之相对两侧之该基底中各形成一源极/汲极区域；于该主动区域与该电熔丝区域中形成一第一层间介电层，该第一层间介电层暴露出位于该主动区域与该电熔丝区域中之该多晶矽层；去除位于该主动区域与该电熔丝区域中之该多晶矽层，以分别形成一开口；于该主动区域中形成一第二功函数金属层，覆盖该主动区域之该开口之底部与侧壁；以及形成一金属导电结构填满该等开口，以形成一金属闸极电晶体与一电熔丝元件。