複素環を含む共重合樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物

摘要

【課題】 ドライエッチング耐性、耐熱性を兼ね備えたレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 下記式（１）：【化１】で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。好ましくは式（１）においてＲ３が水素原子であり、ｎ１及びｎ２が共に０である。半導体基板に本願のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。【選択図】 なし