发明名称 III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶および半導体装置
摘要 大サイズで、かつ欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を製造可能なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。III族窒化物結晶層(11)の複数の部分を、III族窒化物結晶(13)の生成および成長のための種結晶として選択する種結晶選択工程と、前記種結晶の表面をアルカリ金属融液に接触させる接触工程と、窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とを前記アルカリ金属融液中で反応させてIII族窒化物結晶(13)を生成させ成長させる結晶成長工程とを含み、前記種結晶が、六方晶であり、前記種結晶選択工程において、互いに隣接する前記種結晶から成長した各結晶のm面どうしがほぼ重なり合わないように前記種結晶を配置し、前記結晶成長工程において、III族窒化物結晶(13)の成長により、前記複数の種結晶から成長した複数のIII族窒化物結晶(13)を結合させるIII族窒化物結晶(13)の製造方法。
申请公布号 JPWO2013105618(A1) 申请公布日期 2015.05.11
申请号 JP20130553314 申请日期 2013.01.10
申请人 国立大学法人大阪大学 发明人 森 勇介;今出 完;吉村 政志;平尾 美帆子;今西 正幸
分类号 C30B29/38;C30B19/12 主分类号 C30B29/38
代理机构 代理人
主权项
地址