光罩基底及转印用光罩、与转印用光罩之制造方法

主权项

一种转印用光罩之制造方法，其特征在于，该光罩适用ArF准分子雷射曝光光，且于透光性基板上具有形成有转印图案之遮光膜，上述遮光膜包含由含有过渡金属及矽、进而含有选自氧及氮之至少1种以上之元素的材料所构成之下层，及由含有过渡金属及矽、进而含有选自氧及氮之至少1种以上之元素的材料所构成之上层之至少二层构造，向对象部分供给含有氟之物质且照射带电粒子而进行之蚀刻中的上述下层之蚀刻速率相对于上述上层之蚀刻速率之比为1.0以上20.0以下，且该方法包括缺陷修正步骤，对设计上之转印图案与上述遮光膜上形成之转印图案进行比较，对残存有上述遮光膜之缺陷部分供给含有氟之物质，且照射带电粒子而进行蚀刻，上述缺陷修正步骤于上述遮光膜之下层之蚀刻时供给水或氧化物系流体，而使上述下层之蚀刻速率下降。