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发明名称
単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法
摘要
本発明は、直胴部、湾曲部、及び底部を有する単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器であって、前記直胴部のOH基濃度が30〜300massppmであり、前記底部のOH基濃度が30massppm以下であり、前記直胴部と前記底部のOH基濃度差が30massppm以上であることを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器である。これにより、引き上げた単結晶シリコン中のボイドやピンホールと呼ばれる空洞欠陥を低減することができる低コストの単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器が提供される。
申请公布号
JPWO2013105165(A1)
申请公布日期
2015.05.11
申请号
JP20130504043
申请日期
2012.11.08
申请人
信越石英株式会社
发明人
山形 茂
分类号
C30B29/06;C03B20/00
主分类号
C30B29/06
代理机构
代理人
主权项
地址
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