| 主权项 |
一种双扩散金属氧化物半导体(double diffused metal oxide semiconductor,DMOS)元件，包含：一P型基板，该基板具有一上表面；一N型高压井区，形成于该上表面下之该基板中；一P型深埋区，形成于该高压井区下方之该基板中，与该基板直接连接，并与该高压井区间之距离不小于一预设间距；一场氧化区，形成于该上表面上，由上视图视之，该场氧化区位于该高压井区中；一P型本体区，形成于该上表面下该基板中；一闸极，形成于该上表面上，且部分闸极位于该场氧化区上；以及N型源极、与N型汲极，分别形成于该闸极两侧该上表面下方，且由上视图视之，该汲极与该源极由该闸极与该场氧化区隔开，其中该汲极形成于该高压井区中，且该源极位于该本体区中；其中，当该DMOS元件不导通时，一第一空乏区形成于该深埋区与该高压井区之间，且一第二空乏区形成于该高压井区中，其中该第一空乏区与该第二空乏区连接；其中，该深埋区介于该源极与该汲极之间。
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