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经营范围
发明名称
半导体装置及半导体装置之制造方法
摘要
申请公布号
TWI484601
申请公布日期
2015.05.11
申请号
TW101104583
申请日期
2012.02.13
申请人
东芝股份有限公司
发明人
福田昌利;渡部博
分类号
H01L23/28;H01L23/48
主分类号
H01L23/28
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
一种半导体装置,其包括:配线基板,其于至少一主面具有配线层;半导体晶片积层体,其安装于上述配线基板之上述主面,将2个以上之半导体晶片隔开特定之间隔而重叠配置,且各半导体晶片相互经由凸块而电性地连接;底部填充层,其包含填充于上述半导体晶片积层体之各半导体晶片之间之间隙中的树脂;及密封层,其包含被覆、形成于上述半导体晶片积层体之外侧之模制树脂;且上述底部填充层包含:包含胺系硬化剂树脂材料之硬化物;且上述硬化物之玻璃转移温度(Tg)为65℃以上100℃以下。
地址
日本
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