| 主权项 |
一种薄膜太阳能电池之制造方法，系包含以下步骤：形成一前电极层于一基板之上；顺次沉积P型半导体层、I型半导体层、以及N型半导体层于该前电极层之上；以及形成一后电极层于该N型半导体层之上，其中用以形成该I型半导体层之该制程包含在一内室压力维持于2.0Torr至2.4Torr之间的范围内，一基板温度维持于225摄氏度(℃)至250摄氏度(℃)之间并且含矽气体相比较于含氢气体之含量比在1：7至1：10之间的范围内之环境下，透过一电浆化学气相沉积(CVD)方法形成一非晶矽层，其中用以形成该I型半导体层之该制程包含在沉积速率为200埃/分钟(/min)至250埃/分钟(/min)时形成该非晶矽层。
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