发明名称 |
パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
摘要 |
本発明は、半導体基板上に電極を形成する工程と、前記半導体基板の前記電極が形成される面上に、有機アルミニウム化合物を含む半導体基板パッシベーション膜形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、前記組成物層を加熱処理して、パッシベーション膜を形成する工程とを有するパッシベーション膜付き半導体基板の製造方法を提供する。 |
申请公布号 |
JPWO2013103141(A1) |
申请公布日期 |
2015.05.11 |
申请号 |
JP20130552432 |
申请日期 |
2012.12.28 |
申请人 |
日立化成株式会社 |
发明人 |
田中 徹;織田 明博;野尻 剛;吉田 誠人 |
分类号 |
H01L21/316;C08K5/10;C08K5/56;C08L101/00;H01L21/312;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/316 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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