半导体元件特征化方法及半导体元件

主权项

一种半导体元件测量方法，包含有以下步骤：提供一矽覆绝缘(silicon-on-insulator，SOI)基底，该SOI基底上设置有至少一主体可外接(body-tied)矽覆绝缘(BT SOI)元件与一主体可外接(BT)寄生元件，其中该BT寄生元件包含有一第一型源极/汲极重掺杂区域与一寄生闸极，且该寄生闸极不设置于该第一型源极/汲极重掺杂区域之上；分别测量该BT SOI元件与该BT寄生元件的穿隧电流(Igb)与散射参数(scattering parameter，S参数)；利用该BT寄生元件之穿隧电流校正该BT SOI元件之穿隧电流，以获得一浮体矽覆绝缘(floating body，BT SOI)元件之穿隧电流；藉由去嵌化技术从该BT SOI元件扣除该BT寄生元件之特性，以萃取出该FB SOI元件之S参数；以及计算分析该FB SOI元件之S参数而得到该FB SOI元件之闸极相关电容值(Cgb)。