| 摘要 |
ｎ型のエミッタ領域と、ｐ型のトップボディ領域と、ｎ型の中間領域と、ｐ型のボトムボディ領域と、ｎ型のドリフト領域と、ｐ型のコレクタ領域と、半導体基板の上面から、エミッタ領域、トップボディ領域、中間領域、及び、ボトムボディ領域を貫通してドリフト領域に達する複数のトレンチと、トレンチ内に形成されているゲート電極を有するＩＧＢＴの製造方法を提供する。この製造方法は、半導体基板の上面にトレンチを形成する工程と、トレンチ内に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の形成後に、半導体基板上及びトレンチ内に電極層を形成する工程と、電極層の上面を平坦化する工程と、電極層の上面を平坦化後に、半導体基板の上面側から中間領域の深さにｎ型不純物を注入する工程を有する。 |
